6MBI100S-120
產品描述:
若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上bai驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：——IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓;——IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓;——流過IGBT集電極－發(fā)射極的電流;——IGBT的結溫。如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極－發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極－發(fā)射極之間的耐壓,流過IGBT集電極－發(fā)射極的電流超過集電極－發(fā)射極允許的最大電流,IGBT的結溫超過其結溫的允許值,IGBT都可能會永久性損壞。
| 產品型號 | 參數說明 | 下載 |
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6MBI100S-120 |
100A/120V | /Attachment/20200611/90727425.pdf |
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