IGBT模塊
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在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作 。一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5~35℃ ，常濕的規(guī)定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕;盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合;在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方;保管時(shí)，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;
只有一個(gè)PN結(jié)作為發(fā)射極而有兩個(gè)基極的三端半導(dǎo)體器件，早期稱(chēng)為雙基極二極管。其典型結(jié)構(gòu)是以一個(gè)均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶半導(dǎo)體作為基區(qū),兩端做成歐姆接觸的兩個(gè)基極，在基區(qū)中心或者偏向其中一個(gè)極的位置上用淺擴(kuò)散法重?fù)诫s制成 PN結(jié)作為發(fā)射極(圖中)。當(dāng)基極B1和B2之間加上電壓時(shí)(圖中b)，電流從B2流向B1,并在結(jié)處基區(qū)對(duì)B1的電勢(shì)形成反偏狀態(tài)。如果將一個(gè)信號(hào)加在發(fā)射極上，且此信號(hào)超過(guò)原反偏電勢(shì)時(shí)，器件呈導(dǎo)電狀態(tài)。一旦正偏狀態(tài)出現(xiàn)，便有大量空穴注入基區(qū)，使發(fā)射極和B1之間的電阻減小，電流增大，電勢(shì)降低，并保持導(dǎo)通狀態(tài)，改變兩個(gè)基極間的偏置或改變發(fā)射極信號(hào)才能使器件恢復(fù)原始狀態(tài)。
顯著增加，rb1阻值迅速減小，Ve相應(yīng)下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱(chēng)為負(fù)阻特性。管子由截止區(qū)進(jìn)入負(fù)阻區(qū)的臨界P稱(chēng)為峰點(diǎn)，與其對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電壓和電流，分別稱(chēng)為峰點(diǎn)電壓Vp和峰點(diǎn)電流Ip。Ip是正向漏電流，它是使單結(jié)晶體管導(dǎo)通所需的最小電流，顯然Vp=ηVbb隨著發(fā)射極電流ie不斷上升，Ve不斷下降，降到V點(diǎn)后，Ve不再降了，這點(diǎn)V稱(chēng)為谷點(diǎn)，與其對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電壓和電流，稱(chēng)為谷點(diǎn)電壓，Vv和谷點(diǎn)電流Iv。過(guò)了V點(diǎn)后，發(fā)射極與第一基極間半導(dǎo)體內(nèi)的載流子達(dá)到了飽和狀態(tài)，所以u(píng)c繼續(xù)增加時(shí)，ie便緩慢地上升，顯然Vv是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通的最小發(fā)射極電壓，如果Ve<Vv，管子重新截止。
判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是:把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋，黑表筆接假設(shè)的發(fā)射極，紅表筆接另外兩極，當(dāng)出現(xiàn)兩次低電阻時(shí)，黑表筆接的就是單結(jié)晶體管的發(fā)射極。單結(jié)晶體管B1和B2的判斷方法是:把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋，用黑表筆接發(fā)射極，紅表筆分別接另外兩極，兩次測(cè)量中，電阻大的一次，紅表筆接的就是B1極。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，上述判別B1、B2的方法，不一定對(duì)所有的單結(jié)晶體管都適用，有個(gè)別管子的E--B1間的正向電阻值較小。不過(guò)準(zhǔn)確地判斷哪 極是B1，哪極是B2在實(shí)際使用中并不特別重要。即使B1、B2用顛倒了，也不會(huì)使管子損壞，只影響輸出脈沖的幅度(單結(jié)晶體管多作脈沖發(fā)生器使用)，當(dāng)發(fā)現(xiàn)輸出的脈沖幅度偏小時(shí)，只要將原來(lái)假定的B1、B2對(duì)調(diào)過(guò)來(lái)就可以了。
雙基極二極管性能的好壞可以通過(guò)測(cè)量其各極間的電阻值是否正常來(lái)判斷。用萬(wàn)用表R×1k檔，將黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆依次接兩個(gè)基極(B1和B2)，正常時(shí)均應(yīng)有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發(fā)射極E，黑表筆依次接兩個(gè)基極，正常時(shí)阻值為無(wú)窮大。雙基極二極管兩個(gè)基極(B1和B2)之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ范圍內(nèi)，若測(cè)得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時(shí)，則說(shuō)明該二極管已損壞。單結(jié)晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡(jiǎn)單，因此在各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，在構(gòu)成定時(shí)電路或觸發(fā)SCR等方面獲得了廣泛應(yīng)用。它的開(kāi)關(guān)特性具有很高的溫度穩(wěn)定性，基本上不隨溫度而變化。
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