三社
從前面對(duì)整流橋帶散熱器來(lái)實(shí)現(xiàn)其散熱過(guò)程的分析中可以看出，整流橋主要的損耗是通過(guò)其背面的散熱器來(lái)散發(fā)的，因此在此討論整流橋殼溫如何確定時(shí)，就忽約其通過(guò)引腳的傳熱量?，F(xiàn)結(jié)合RS2501M整流橋在110VAC電源模塊上應(yīng)用的損耗（最大為22.0W）來(lái)分析。假設(shè)整流橋殼體外表面上的溫度為結(jié)溫（即150.0C），表面換熱系數(shù)為50.0W/m2C（在一般情況下，強(qiáng)迫風(fēng)冷的對(duì)流換熱系數(shù)為20~40W/m2C）。那么在環(huán)境溫度為55.0C時(shí)，整流橋的結(jié)溫與殼體正面的溫差遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于結(jié)溫與殼體背面的溫差，也就是說(shuō)，實(shí)際上整流橋的殼體正表面的溫度是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其背面的溫度的。如果我們?cè)跍y(cè)量時(shí)，把整流橋殼體正面溫度（通常情況下比較好測(cè)量）來(lái)作為我們計(jì)算的殼溫，那么我們就會(huì)過(guò)高地估計(jì)整流橋的結(jié)溫了！那么既然如此，我們應(yīng)該怎樣來(lái)確定計(jì)算的殼溫呢？由于整流橋的背面是和散熱器相互連接的，并且熱量主要是通過(guò)散熱器散發(fā)，散熱器的基板溫度和整流橋的背面殼體溫度間只有接觸熱阻。一般而言，接觸熱阻的數(shù)值很小，因此我們可以用散熱器的基板溫度的數(shù)值來(lái)代替整流橋的殼溫，這樣不僅在測(cè)量上易于實(shí)現(xiàn)，還不會(huì)給最終的計(jì)算帶來(lái)不可容忍的誤差。
整流橋的bai整流作用是通過(guò)二極管du的單向?qū)ㄔ韥?lái)zhi完dao成工作的，通俗的來(lái)說(shuō)二極管它是正向?qū)ê?/span>反向截止，也就是說(shuō)，二極管只允許它的正極進(jìn)正電和負(fù)極進(jìn)負(fù)電。二極管只允許電流單向通過(guò)，所以將其接入交流電路時(shí)它能使電路中的電流只按單向流動(dòng)。整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。
整流橋作為一種功率元器件，非常廣泛。應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。
在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作，通過(guò)二極管的單向?qū)üδ埽呀涣麟娹D(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。
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整流橋內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作，通過(guò)二極管的單向導(dǎo)通功能，把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。對(duì)一般常用的小功率整流橋（如：RECTRON SEMICONDUCTOR的RS2501M）進(jìn)行解剖會(huì)發(fā)現(xiàn)，該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。橋內(nèi)的四個(gè)主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引腳（交流輸入導(dǎo)線）相連，形成我們?cè)谕庥^上看見(jiàn)的有四個(gè)對(duì)外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu)，在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹(shù)脂。
整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了，分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。
整流橋就是將數(shù)個(gè)整流管封在一個(gè)殼內(nèi)，構(gòu)成一個(gè)完整的整流電路。當(dāng)功率進(jìn)一步增加或由于其他原因要求多相整流時(shí)三相整流電路就被提了出來(lái)。三相整流橋分為三相全波整流橋(全橋)和三相半波整流橋(半橋)兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對(duì)輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器，對(duì)輸出電壓要求不高的整流電路的電容器可裝可不裝。整流二極管的作用具有明顯的單向?qū)щ娦?。整流二極管可采用半導(dǎo)體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的作用可以有效的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能優(yōu)良。整流二極管的作用是利用PN結(jié)單向?qū)щ娞匦?，把交流電轉(zhuǎn)變成脈動(dòng)直流電。整流二極管的電流較大，大多采用面接觸性料封裝。那么整流二極管的作用主要有哪些呢？下面就是小編對(duì)于整流二極管的作用的具體介紹。
整流二極管的作用中的反向性，是當(dāng)整流二極管外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)整流二極管的電流少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)從而形成的反向電流。由于整流二極管的作用反向電流很小，整流二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。整流二極管的反向飽和電流受溫度影響。一般硅整流二極管的作用反向電流比鍺整流二極管的作用小得多，小功率硅整流二極管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺整流二極管在μA數(shù)量級(jí)。當(dāng)整流二極管溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目也會(huì)增加。整流二極管的作用中的反向擊穿，反向擊穿按機(jī)理原理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。整流二極管在高摻雜濃度的情況下，整流二極管因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大會(huì)破壞勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子空穴，整流二極管的作用中的另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)整流二極管反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)會(huì)使電子漂移速度加快，從而使整流二極管共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子空穴對(duì)。
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